중국 CXMT의 D램 초미세 공정 주장과 검증 범위

CXMT는 10월 19일 임시 주주총회에서 D램 제조공정을 더 미세하게 만들어 기술적 한계를 넘겠다고 밝혔습니다. 회사는 일부 핵심 기술이 세계 선진 수준에 도달했다고 주장하며, 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 시장에서 차세대 기술 경쟁력을 확보하겠다는 방향을 제시했습니다. 현재의 기술 수준에 대한 평가와 앞으로 시장을 선도하겠다는 목표를 함께 내놓은 것입니다.

회사가 제시한 주요 근거는 1세대부터 5세대까지 공정 기술의 세대교체와 제품군 확대입니다. CXMT는 기존 모바일용 LPDDR4X에서 DDR5 계열과 최신 모바일용 LPDDR6까지 제품 범위를 넓혔다고 설명했습니다.

기술 주장의 중심에는 4중 자기정렬 패터닝인 SAQP가 있습니다. 여러 차례 회로 패턴을 형성해 선폭과 간격을 좁히는 기술로, CXMT는 이를 도입해 메모리 집적도와 소자 성능을 개선했다고 설명했습니다. 회사는 5세대 공정이 업계 최첨단 양산 공정과 비슷한 수준이라고 주장했지만, 이를 별도로 검증한 결과는 보도로는 확인되지 않았습니다.

CXMT는 5세대 기술 플랫폼인 G5의 성과를 설명하면서 메모리 셀의 활성영역 반간격이 11.95나노미터라고 발표했습니다. 또 8기가비트 D램 칩을 기준으로 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수가 이전 세대보다 최소 50% 늘었다고 설명했습니다. 이 수치의 비교 대상은 CXMT의 이전 세대이며, 삼성전자나 SK하이닉스의 제품과 직접 비교한 결과로 발표된 것은 아닙니다.

기존 회로를 더 촘촘하게 만드는 작업과 별도로, CXMT는 D램 셀 면적을 줄이는 4F² 구조에서도 기술적 진전을 이뤘다고 밝혔습니다. 셀에 쓰는 트랜지스터를 수직으로 배치해 집적도를 높이는 방식으로, 회사는 공정 미세화와 구조 변경을 함께 추진하고 있습니다. 다만 5세대 공정의 양산 발표와 차세대 구조의 개발 진전은 서로 다른 단계의 설명이므로, 모두 양산을 마쳤다는 의미로 묶을 수는 없습니다.